ASML称 3nm 芯片实际为 23nm,1nm 芯片是 18nm

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杀青散没有解药咩(11级)楼主2024-06-20 11:04:51发布于北京
ASML称 3nm 芯片实际为 23nm,1nm 芯片是 18nm杀青散没有解药咩 发表在历史区 https://bbs.hupu.com/history

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28nm以下的制程基本都是这样命名的,因为采用了FinFET等3D工艺,根据单位面积晶体管数来推算等效的晶体管半节距,来为制程命名。

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实际上都是3D堆砌,所以华为才能快速追上
当初一帮人贬低华为麒麟不是真7nm,谁知道脱了底裤大家都差不多

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当初一帮人贬低华为麒麟不是真7nm,谁知道脱了底裤大家都差不多

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因为距离再小,电子就开始展现波动性了。

因为距离再小,电子就开始展现波动性了。

不,这个尺度下,沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级,产生了短沟道效应,导致栅极控制能力下降,所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级,才要考虑波动性

不,这个尺度下,沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级,产生了短沟道效应,导致栅极控制能力下降,所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级,才要考虑波动性

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因为已经升到1nm了,没有办法再升级收割了,现在回到18nm,可以再升一轮,再收割一轮!

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一桶水不满,半桶水晃荡

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看不懂,所以我相信你

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嘿嘿,哥们就是学这个的,总算让我给装到了

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不,这个尺度下,沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级,产生了短沟道效应,导致栅极控制能力下降,所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级,才要考虑波动性

不,这个尺度下,沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级,产生了短沟道效应,导致栅极控制能力下降,所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级,才要考虑波动性

刚我想起了半导体工艺的课程……

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28nm以下的制程基本都是这样命名的,因为采用了FinFET等3D工艺,根据单位面积晶体管数来推算等效的晶体管半节距,来为制程命名。

28nm以下的制程基本都是这样命名的,因为采用了FinFET等3D工艺,根据单位面积晶体管数来推算等效的晶体管半节距,来为制程命名。

因为距离再小,电子就开始展现波动性了。

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《ASML制程造假》火起来吧

《ASML制程造假》火起来吧[奸笑]

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不,这个尺度下,沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级,产生了短沟道效应,导致栅极控制能力下降,所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级,才要考虑波动性

不,这个尺度下,沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级,产生了短沟道效应,导致栅极控制能力下降,所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级,才要考虑波动性

看不懂,所以我相信你

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28nm以下的制程基本都是这样命名的,因为采用了FinFET等3D工艺,根据单位面积晶体管数来推算等效的晶体管半节距,来为制程命名。

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一桶水不满,半桶水晃荡

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《ASML制程造假》火起来吧

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28nm以下的制程基本都是这样命名的,因为采用了FinFET等3D工艺,根据单位面积晶体管数来推算等效的晶体管半节距,来为制程命名。

28nm以下的制程基本都是这样命名的,因为采用了FinFET等3D工艺,根据单位面积晶体管数来推算等效的晶体管半节距,来为制程命名。

因为距离再小,电子就开始展现波动性了。

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实际上以intel为例,1999年,也就是奔腾4的0.18工艺命名就和半节距脱钩了。

不过当时还算有点操守,节点命名基本是栅极长度和半节距的中间值。

实际上以intel为例,1999年,也就是奔腾4的0.18工艺命名就和半节距脱钩了。

不过当时还算有点操守,节点命名基本是栅极长度和半节距的中间值。

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以前学的时候好像说的是某个宽度

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28nm以下的制程基本都是这样命名的,因为采用了FinFET等3D工艺,根据单位面积晶体管数来推算等效的晶体管半节距,来为制程命名。

28nm以下的制程基本都是这样命名的,因为采用了FinFET等3D工艺,根据单位面积晶体管数来推算等效的晶体管半节距,来为制程命名。

大胆!为啥不让人家赢一会儿

大胆!为啥不让人家赢一会儿

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当初一帮人贬低华为麒麟不是真7nm,谁知道脱了底裤大家都差不多

实际上都是3D堆砌,所以华为才能快速追上
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不,这个尺度下,沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级,产生了短沟道效应,导致栅极控制能力下降,所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级,才要考虑波动性

不,这个尺度下,沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级,产生了短沟道效应,导致栅极控制能力下降,所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级,才要考虑波动性

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不,这个尺度下,沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级,产生了短沟道效应,导致栅极控制能力下降,所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级,才要考虑波动性

刚我想起了半导体工艺的课程……

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学新闻学的

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因为已经升到1nm了,没有办法再升级收割了,现在回到18nm,可以再升一轮,再收割一轮!

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不,这个尺度下,沟道的尺度与电子的平均自由程在同一个量级,产生了短沟道效应,导致栅极控制能力下降,所以需要采用3D结构加强栅极与沟道的接触面。等到制程进一步减小到电子的波长量级,才要考虑波动性

看不懂,所以我相信你

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看不懂,所以我相信你

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嘿嘿,哥们就是学这个的,总算让我给装到了

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会出现电子隧穿效应

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哈哈哈

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Re:ASML称 3nm 芯片实际为 23nm,1nm 芯片是 18nm
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